MP4N50FR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MP4N50FR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MP4N50FR MOSFET
MP4N50FR Datasheet (PDF)
mp4n50fr.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET MP4N50FR Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4A VDSS 500V Rdson-max 2.8 Vgs=10V Qg-Typ 7.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp
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History: MP15N60EIF | TK20A60W5 | FMP13N60E
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