MP4N50FR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MP4N50FR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MP4N50FR

MP4N50FR Datasheet (PDF)

..1. Size:803K jilin sino
mp4n50fr.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MP4N50FR Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4A VDSS 500V Rdson-max 2.8 Vgs=10V Qg-Typ 7.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

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History: PM5C3BA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: