MP4N50FR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP4N50FR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm

Encapsulados: DPAK

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MP4N50FR datasheet

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MP4N50FR

N R N-CHANNEL MOSFET MP4N50FR Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4A VDSS 500V Rdson-max 2.8 Vgs=10V Qg-Typ 7.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

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