MP4N50FR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP4N50FR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для MP4N50FR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP4N50FR даташит

 ..1. Size:803K  jilin sino
 mp4n50fr.pdf pdf_icon

MP4N50FR

N R N-CHANNEL MOSFET MP4N50FR Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4A VDSS 500V Rdson-max 2.8 Vgs=10V Qg-Typ 7.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

Другие IGBT... MP15N60EIC, MP15N60EIF, MP15N60EIS, MP18N50EIC, MP18N50EIF, MP20N60EI, MP2N60ER, MP4N150, CS150N03A8, MP4N60ER, MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, MP7AN65EV, MP88N25C, MP9N150, MS65R120C