Справочник MOSFET. MP4N50FR

 

MP4N50FR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP4N50FR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для MP4N50FR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP4N50FR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  jilin sino
 mp4n50fr.pdf pdf_icon

MP4N50FR

N RN-CHANNEL MOSFET MP4N50FR Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4A VDSS 500V Rdson-max 2.8 Vgs=10V Qg-Typ 7.4nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Variable frequency LED household appliance LED power supp

Другие MOSFET... MP15N60EIC , MP15N60EIF , MP15N60EIS , MP18N50EIC , MP18N50EIF , MP20N60EI , MP2N60ER , MP4N150 , IRLB4132 , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF , MP7AN65ER , MP7AN65EV , MP88N25C , MP9N150 , MS65R120C .

History: 2SK2218 | S8205A | 12N80L-TF1-T | NVMFS5832NL | BL7N60A-P | AP4411GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.