MS65R190RGE Todos los transistores

 

MS65R190RGE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MS65R190RGE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 238 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MS65R190RGE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:973K  jilin sino
 ms65r190rf1 ms65r190rge.pdf pdf_icon

MS65R190RGE

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R190R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.190 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.1. Size:994K  jilin sino
 ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf pdf_icon

MS65R190RGE

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.2. Size:1099K  jilin sino
 ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf pdf_icon

MS65R190RGE

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R170 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.180 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 8.3. Size:837K  jilin sino
 ms65r135r.pdf pdf_icon

MS65R190RGE

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R135R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.135 @Vgs=10V Qg-typ 60.2 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

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History: SSP65R099SFD

 

 
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