MT6JN008A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MT6JN008A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
- Selección de transistores por parámetros
MT6JN008A Datasheet (PDF)
mt6jn008a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MT6JN008A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 90A VDSS 68V Rdson-max - 8.0m (@Vgs=10V Qg-typ 64nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app
mt6jn009a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MT6JN009A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 95A VDSS 68V Rdson-max - 9.0m (@Vgs=10V Qg-typ 54.7nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive a
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3 | MRF5003 | IRFR120TR | AONS36316
History: 4N65KG-T60-K | CSD17309Q3 | MRF5003 | IRFR120TR | AONS36316



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n