MT6JN008A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MT6JN008A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для MT6JN008A
MT6JN008A Datasheet (PDF)
mt6jn008a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MT6JN008A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 90A VDSS 68V Rdson-max - 8.0m (@Vgs=10V Qg-typ 64nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive app
mt6jn009a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET MT6JN009A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 95A VDSS 68V Rdson-max - 9.0m (@Vgs=10V Qg-typ 54.7nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive a
Другие MOSFET... MT04N004B , MT04N005AL , MT06N005A , MT06N020A , MT06N020AL , MT20N024A , MT28N20A , MT40N20A , HY1906P , MT6JN009A , 2SK2049 , A2N7002K , BSS123K , NCE0102A , NCE0102B , NCE0102E , NCE0102M .
History: BSC035N10NS5 | 4N65G-TND-R | SM6A24NSUB | FDS3672 | SM3407 | SM32314D1RL | NCE0102Z
History: BSC035N10NS5 | 4N65G-TND-R | SM6A24NSUB | FDS3672 | SM3407 | SM32314D1RL | NCE0102Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n