SDF08N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF08N50 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SDF08N50 datasheet
sdf08n50 sdp08n50.pdf
SDP08N50 SDF08N50 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 500V 8A 0.7 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Ma
sdf08n60 sdp08n60.pdf
SDP08N60 SDF08N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 600V 8A 0.89 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G D S G D S G SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Ma
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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