SDF08N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SDF08N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SDF08N50 datasheet

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SDF08N50

SDP08N50 SDF08N50 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 500V 8A 0.7 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G G D S G D S SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Ma

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SDF08N50

SDP08N60 SDF08N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 600V 8A 0.89 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G D S G D S G SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package Ma

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