SDF08N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF08N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 11 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 94 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDF08N50
SDF08N50 Datasheet (PDF)
sdf08n50 sdp08n50.pdf
SDP08N50SDF08N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.500V 8A 0.7 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma
sdf08n60 sdp08n60.pdf
SDP08N60SDF08N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 8A 0.89 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma
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