Справочник MOSFET. SDF08N50

 

SDF08N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDF08N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SDF08N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF08N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  samhop
 sdf08n50 sdp08n50.pdf pdf_icon

SDF08N50

SDP08N50SDF08N50aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.500V 8A 0.7 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DGG D S G D SSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma

 8.1. Size:188K  samhop
 sdf08n60 sdp08n60.pdf pdf_icon

SDF08N50

SDP08N60SDF08N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 8A 0.89 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package Ma

Другие MOSFET... FDZ192NZ , FDZ193P , FDZ197PZ , FDZ371PZ , FDZ372NZ , FDZ375P , FDZ391P , FQA10N80CF109 , TK10A60D , FQA11N90F109 , FQA11N90CF109 , FQA13N50CF , FQA13N80F109 , SDF07N80 , FQA140N10 , SDF07N65 , FQA160N08 .

History: CED11P20 | FQP3P50 | IRLML2502

 

 
Back to Top

 


 
.