NCE6020AQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE6020AQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61.2 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3-8L

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NCE6020AQ datasheet

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NCE6020AQ

NCE6020AQ http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features he NCE6020AQ uses advanced trench technology and design to V = 60V,I = 20A DS D provide excellent R with low gate charge. It can be used in a R

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NCE6020AQ

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

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