NCE6020AQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE6020AQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для NCE6020AQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE6020AQ даташит

 ..1. Size:711K  ncepower
 nce6020aq.pdf pdf_icon

NCE6020AQ

NCE6020AQ http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features he NCE6020AQ uses advanced trench technology and design to V = 60V,I = 20A DS D provide excellent R with low gate charge. It can be used in a R

 6.1. Size:432K  ncepower
 nce6020ak.pdf pdf_icon

NCE6020AQ

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE6020AK NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6020AK uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =60V,ID =20A RDS(ON)

 6.2. Size:335K  ncepower
 nce6020ai.pdf pdf_icon

NCE6020AQ

 6.3. Size:673K  ncepower
 nce6020al.pdf pdf_icon

NCE6020AQ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE6003XY, NCE6005AN, NCE6007S, NCE6009XS, NCE6010J, NCE6012CS, NCE6020A, NCE6020AL, SI2302, NCE6025Q, NCE6030K, NCE603583, NCE6042AG, NCE6045XAG, NCE6045XG, NCE6058, NCE6058AK