NCE60P16AQ MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NCE60P16AQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE60P16AQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 93.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3-8L

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NCE60P16AQ datasheet

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http //www.ncepower.com NCE60P16AQ NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P16AQ uses advanced trench technology to provide General Features excellent R , This device is suitable for use as a load switch DS(ON) V = -60V,I = -16A DS D or power management. R

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NCE60P18AQ http //www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features Description V = -60V,I = -18A DS D The NCE60P18AQ uses advanced trench technology to provide R

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