NCEA01P13K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCEA01P13K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 73 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 52 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 44 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEA01P13K
NCEA01P13K Datasheet (PDF)
ncea01p13k.pdf
NCEA01P13Khttp://www.ncepower.comNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA01P13K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.General FeaturesSchematic diagram V =-100V,I =-13ADS DR
ncea0130ag.pdf
http://www.ncepower.comNCEA0130AGNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET (Primary)General Features V = 100V,I =36ADescription DS DThe NCEA0130AG uses advanced trench technology and R
ncea02p20k.pdf
http://www.ncepower.comNCEA02P20KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA02P20K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram V =-200V,I =-20ADS DR
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