NCEA01P13K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEA01P13K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: TO252

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NCEA01P13K datasheet

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NCEA01P13K

NCEA01P13K http //www.ncepower.com NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA01P13K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram V =-100V,I =-13A DS D R

 8.1. Size:759K  ncepower
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NCEA01P13K

http //www.ncepower.com NCEA0130AG NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET (Primary) General Features V = 100V,I =36A Description DS D The NCEA0130AG uses advanced trench technology and R

 9.1. Size:742K  ncepower
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NCEA01P13K

http //www.ncepower.com NCEA02P20K NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA02P20K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram V =-200V,I =-20A DS D R

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