NCEA4080K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEA4080K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de NCEA4080K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NCEA4080K datasheet

 ..1. Size:932K  ncepower
 ncea4080k.pdf pdf_icon

NCEA4080K

http //www.ncepower.com NCEA4080K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =80A DS D R

 8.1. Size:356K  ncepower
 ncea40p25g.pdf pdf_icon

NCEA4080K

http //www.ncepower.com NCEA40P25G NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =-40V,I =-35A (Silicon Limited) DS D Description R =11.5m (typical) @ V =10V DS(ON) GS The NCEA40P25G uses uses advanced trench technology to R =18.5m (typical) @ V =4.5V DS(ON) GS provide excellent R , This device is suitable for use as a load DS(ON) High densi

Otros transistores... NCE85H25T, NCE8736, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K, NCEA02P20K, NCEA15P30K, NCEA2301, 12N60, NCEA40P25G, NCEA6042AG, NCEA6050KA, NCEA6058K, NCEA6080K, NCEA60ND08S, NCEA60ND18G, NCEA60P82AK