NCEA4080K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCEA4080K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEA4080K

NCEA4080K Datasheet (PDF)

..1. Size:932K ncepower
ncea4080k.pdf

http://www.ncepower.com NCEA4080KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA4080K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =80ADS DR

8.1. Size:356K ncepower
ncea40p25g.pdf

http://www.ncepower.comNCEA40P25GNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =-40V,I =-35A (Silicon Limited)DS DDescriptionR =11.5m (typical) @ V =10VDS(ON) GSThe NCEA40P25G uses uses advanced trench technology toR =18.5m (typical) @ V =4.5VDS(ON) GSprovide excellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON) High densi

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: