NCEA6042AG Todos los transistores

 

NCEA6042AG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEA6042AG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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NCEA6042AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  ncepower
 ncea6042ag.pdf pdf_icon

NCEA6042AG

http://www.ncepower.comNCEA6042AGNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =60V,I =42ADS DDescriptionR

 8.1. Size:900K  ncepower
 ncea6058k.pdf pdf_icon

NCEA6042AG

http://www.ncepower.comNCEA6058KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA6058K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =64ADS DR

 8.2. Size:811K  ncepower
 ncea60nd08s.pdf pdf_icon

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NCEA60ND08Shttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 60V,I =8ADS DDescriptionR

 8.3. Size:1045K  ncepower
 ncea6050ka.pdf pdf_icon

NCEA6042AG

http://www.ncepower.comNCEA6050KANCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA6050KA uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =50A Schematic diagramDS DR

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History: NCE30H10 | STB95N4F3 | S40N14RN | VBA2309 | VS4640AC | IPZ40N04S5-3R1 | MCT06P10

 

 
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