NCEA6042AG - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

NCEA6042AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA6042AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для NCEA6042AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCEA6042AG даташит

..1. Size:623K ncepower
ncea6042ag.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6042AG NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =60V,I =42A DS D Description R

8.1. Size:900K ncepower
ncea6058k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6058K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6058K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =64A DS D R

8.2. Size:811K ncepower
ncea60nd08s.pdf pdf_icon