NCEA6050KA Todos los transistores

 

NCEA6050KA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEA6050KA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 113 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0192 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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NCEA6050KA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1045K  ncepower
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NCEA6050KA

http://www.ncepower.comNCEA6050KANCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA6050KA uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =50A Schematic diagramDS DR

 7.1. Size:900K  ncepower
 ncea6058k.pdf pdf_icon

NCEA6050KA

http://www.ncepower.comNCEA6058KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA6058K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =64ADS DR

 8.1. Size:811K  ncepower
 ncea60nd08s.pdf pdf_icon

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NCEA60ND08Shttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 60V,I =8ADS DDescriptionR

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 ncea60nd18g.pdf pdf_icon

NCEA6050KA

NCEA60ND18Ghttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =60V,I =20ADS DDescriptionR

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History: TSM4N80CI | SM1A00NSW | SIHF730AL | AOB66920L | VBZE30N10 | AUIRFZ44NL | AP65SL045AFWL

 

 
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