SDD04N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDD04N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 8.2 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 54 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SDD04N65
SDD04N65 Datasheet (PDF)
sdu04n65 sdd04n65.pdf
GreenSDU/D04N65ProductSamHop Microelectronics corp.Ver 2.3N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.650V 4A 2.5 @VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERING IN
sdu04n60 sdd04n60.pdf
GreenProduct SDU/D04N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () TypRugged and reliable.600V 4A 2.1 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN
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