2SK2980 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2980

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: MPAK

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2SK2980 datasheet

 ..1. Size:81K  renesas
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2SK2980

2SK2980 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1061-0400 (Previous ADE-208-571B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.2 typ. (VGS = 4 V, ID = 500 mA) 2.5 V gate drive devices. Small package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) D 3 1 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain S

 8.1. Size:433K  toshiba
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2SK2980

2SK2986 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2986 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.5 m (typ.) High forward transfer admittance Y = 80 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.3 2.5 V (V = 10

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2SK2980

2SK2985 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2985 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 4.5 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 70 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.3 2.5 V (V = 10

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2SK2980

2SK2989 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK2989 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 120 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 2.6 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 50 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 0.8 2.0 V

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