2SK2980. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK2980
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: MPAK
Аналог (замена) для 2SK2980
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK2980 даташит
2sk2980.pdf
2SK2980 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1061-0400 (Previous ADE-208-571B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.2 typ. (VGS = 4 V, ID = 500 mA) 2.5 V gate drive devices. Small package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) D 3 1 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain S
2sk2986.pdf
2SK2986 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2986 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.5 m (typ.) High forward transfer admittance Y = 80 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.3 2.5 V (V = 10
2sk2985.pdf
2SK2985 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2985 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 4.5 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 70 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.3 2.5 V (V = 10
2sk2989.pdf
2SK2989 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK2989 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 120 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 2.6 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 50 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 0.8 2.0 V
Другие IGBT... 2SK2940, 2SK2955, 2SK2956, 2SK2957, 2SK2958, 2SK2959, 2SK2978, 2SK2979, IRF2807, 2SK3000, 2SK3069, 2SK3070, 2SK3080, 2SK3081, 2SK3082, 2SK3133, 2SK3134
History: NCE40P20Q | PN4392 | FRX130H2 | BLF246
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647






