2SK2980. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2980

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: MPAK

Аналог (замена) для 2SK2980

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2980 даташит

 ..1. Size:81K  renesas
2sk2980.pdfpdf_icon

2SK2980

2SK2980 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1061-0400 (Previous ADE-208-571B) Rev.4.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS(on) = 0.2 typ. (VGS = 4 V, ID = 500 mA) 2.5 V gate drive devices. Small package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Package name MPAK) D 3 1 G 1. Source 2 2. Gate 3. Drain S

 8.1. Size:433K  toshiba
2sk2986.pdfpdf_icon

2SK2980

2SK2986 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2986 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.5 m (typ.) High forward transfer admittance Y = 80 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.3 2.5 V (V = 10

 8.2. Size:424K  toshiba
2sk2985.pdfpdf_icon

2SK2980

2SK2985 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK2985 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 4.5 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 70 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 60 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 1.3 2.5 V (V = 10

 8.3. Size:136K  toshiba
2sk2989.pdfpdf_icon

2SK2980

2SK2989 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK2989 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS = 120 m (typ.) (ON) High forward transfer admittance Y = 2.6 S (typ.) fs Low leakage current I = 100 A (max) (V = 50 V) DSS DS Enhancement-mode Vth = 0.8 2.0 V

Другие IGBT... 2SK2940, 2SK2955, 2SK2956, 2SK2957, 2SK2958, 2SK2959, 2SK2978, 2SK2979, IRF2807, 2SK3000, 2SK3069, 2SK3070, 2SK3080, 2SK3081, 2SK3082, 2SK3133, 2SK3134