SDD01N70 Todos los transistores

 

SDD01N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDD01N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SDD01N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  samhop
 sdu01n70 sdd01n70.pdf pdf_icon

SDD01N70

GreenSDU/D01N70ProductaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.700V 1A 16 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN

Otros transistores... FQB44N10 , SDD02N70 , FQB47P06 , FQB4N80 , SDD02N60 , FQB50N06 , FQB50N06L , FQB55N10 , IRFP250N , FQB5N50C , FQB5N90 , FQB6N80 , FCH104N60FF085 , FQB7N60 , FCPF2250N80Z , FQB7P20 , FQB7P20TMF085 .

History: GSM4946W

 

 
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