SDD01N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDD01N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 IPAK
Búsqueda de reemplazo de SDD01N70 MOSFET
SDD01N70 Datasheet (PDF)
sdu01n70 sdd01n70.pdf

GreenSDU/D01N70ProductaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.700V 1A 16 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN
Otros transistores... FQB44N10 , SDD02N70 , FQB47P06 , FQB4N80 , SDD02N60 , FQB50N06 , FQB50N06L , FQB55N10 , IRFP250N , FQB5N50C , FQB5N90 , FQB6N80 , FCH104N60FF085 , FQB7N60 , FCPF2250N80Z , FQB7P20 , FQB7P20TMF085 .
History: MMBFJ177L | FMI10N60E | FDPF18N50 | FDD18N20LZ | FCH35N60 | FDPF10N60NZ
History: MMBFJ177L | FMI10N60E | FDPF18N50 | FDD18N20LZ | FCH35N60 | FDPF10N60NZ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
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