SDD01N70 - описание и поиск аналогов

 

SDD01N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDD01N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm

Тип корпуса: TO251 IPAK

Аналог (замена) для SDD01N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDD01N70 даташит

 ..1. Size:156K  samhop
 sdu01n70 sdd01n70.pdf pdf_icon

SDD01N70

Green SDU/D01N70 Product a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 700V 1A 16 @ VGS=10V Suface Mount Package. D G S SDU SERIES SDD SERIES SDD SERIES TO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK) ORDERIN

Другие MOSFET... FQB44N10 , SDD02N70 , FQB47P06 , FQB4N80 , SDD02N60 , FQB50N06 , FQB50N06L , FQB55N10 , IRFB4115 , FQB5N50C , FQB5N90 , FQB6N80 , FCH104N60FF085 , FQB7N60 , FCPF2250N80Z , FQB7P20 , FQB7P20TMF085 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.