Справочник MOSFET. SDD01N70

 

SDD01N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDD01N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SDD01N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  samhop
 sdu01n70 sdd01n70.pdf pdf_icon

SDD01N70

GreenSDU/D01N70ProductaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.700V 1A 16 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LSG65R380GF | SPD02N50C3 | NDT6N70 | SFF240JR | KHB019N20P1 | IPD50R280CE | GSM3458BW

 

 
Back to Top

 


 
.