Справочник MOSFET. SDD01N70

 

SDD01N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDD01N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.5 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
 

 Аналог (замена) для SDD01N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDD01N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  samhop
 sdu01n70 sdd01n70.pdf pdf_icon

SDD01N70

GreenSDU/D01N70ProductaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) () MaxRugged and reliable.700V 1A 16 @ VGS=10V Suface Mount Package.DGSSDU SERIES SDD SERIES SDD SERIESTO-252(D-PAK) TO-251S(I-PAK) TO-251L(I-PAK)ORDERIN

Другие MOSFET... FQB44N10 , SDD02N70 , FQB47P06 , FQB4N80 , SDD02N60 , FQB50N06 , FQB50N06L , FQB55N10 , IRFP250N , FQB5N50C , FQB5N90 , FQB6N80 , FCH104N60FF085 , FQB7N60 , FCPF2250N80Z , FQB7P20 , FQB7P20TMF085 .

History: IRLZ20

 

 
Back to Top

 


 
.