NCEPB303GU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEPB303GU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 344 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0089 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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NCEPB303GU datasheet

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NCEPB303GU

http //www.ncepower.com NCEPB303GU 30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB303GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized M

 7.1. Size:533K  ncepower
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NCEPB303GU

http //www.ncepower.com NCEPB302G 30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB302G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOS

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