Справочник MOSFET. NCEPB303GU

 

NCEPB303GU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCEPB303GU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 344 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0089 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для NCEPB303GU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEPB303GU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:526K  ncepower
 ncepb303gu.pdf pdf_icon

NCEPB303GU

http://www.ncepower.com NCEPB303GU30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB303GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized M

 7.1. Size:533K  ncepower
 ncepb302g.pdf pdf_icon

NCEPB303GU

http://www.ncepower.com NCEPB302G30V Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEPB302G uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. It includes two specialized MOS

Другие MOSFET... NCEP85T15D , NCEP85T25 , NCEP85T25VD , NCEP85T30LL , NCEP85T30T , NCEP8814AS , NCEP8818AS , NCEPB302G , IRFB4110 , NCES120R036T4 , NCES120R062T4 , QM0930M3 , MRF134 , MRF136 , MRF136Y , MRF137 , MRF138 .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.