BR2N7002LK2 Todos los transistores

 

BR2N7002LK2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BR2N7002LK2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BR2N7002LK2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1325K  blue-rocket-elect
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BR2N7002LK2

BR2N7002LK2 Rev.C Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV,HF Product. / Applications

 6.1. Size:1140K  blue-rocket-elect
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BR2N7002LK2

BR2N7002AK2 Rev.D Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV, HF Product. / Application

 6.2. Size:1033K  blue-rocket-elect
 br2n7002k2.pdf pdf_icon

BR2N7002LK2

BR2N7002K2 Rev.C Aug.-2018 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features 2KVSensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV.HF Product. / Applications

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History: SWMN10N65K | ME2324D | BR50N03 | TPU60R350C | STB6NM60N

 

 
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