BR2N7002LK2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BR2N7002LK2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для BR2N7002LK2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BR2N7002LK2 даташит

 ..1. Size:1325K  blue-rocket-elect
 br2n7002lk2.pdf pdf_icon

BR2N7002LK2

BR2N7002LK2 Rev.C Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV,HF Product. / Applications

 6.1. Size:1140K  blue-rocket-elect
 br2n7002ak2.pdf pdf_icon

BR2N7002LK2

BR2N7002AK2 Rev.D Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. / Features 2KV Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV, HF Product. / Application

 6.2. Size:1033K  blue-rocket-elect
 br2n7002k2.pdf pdf_icon

BR2N7002LK2

Другие IGBT... MRF5007, MRF5007R1, MRF5015, MRF5035, 2N7002K1, BR10N60, BR20N50, BR2N7002AK2, STF13NM60N, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, BRB100N03