BRA7N65 Todos los transistores

 

BRA7N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRA7N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRA7N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  blue-rocket-elect
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BRA7N65

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BRA7N65

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History: OSS60R099TF | WPM4801 | S68N08ZRN | BSZ037N06LS5 | UT20N03 | FDMS3660AS | KRF7343

 

 
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