BRA7N65 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRA7N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для BRA7N65
BRA7N65 Datasheet (PDF)
bra7n65.pdf

BRA7N65 Rev. A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well sui
bra7n80.pdf

BRA7N80(BRCS7N80A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high
Другие MOSFET... BR2N7002AK2 , BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , IRFZ46N , BRB100N03 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC .
History: OSG65R650FZF | HM60N05 | DAMH280N200 | BR6N70 | BRB100N03 | BR7N65
History: OSG65R650FZF | HM60N05 | DAMH280N200 | BR6N70 | BRB100N03 | BR7N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569