BRA7N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRA7N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для BRA7N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRA7N65 даташит

 ..1. Size:877K  blue-rocket-elect
 bra7n65.pdf pdf_icon

BRA7N65

BRA7N65 Rev. A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-262 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well sui

 9.1. Size:505K  blue-rocket-elect
 bra7n80.pdf pdf_icon

BRA7N65

BRA7N80(BRCS7N80A) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-262 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high

Другие IGBT... BR2N7002AK2, BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, IRFB31N20D, BRB100N03, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC