BRB100N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRB100N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de BRB100N03 MOSFET
BRB100N03 Datasheet (PDF)
brb100n03.pdf

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brb10n65.pdf

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History: AP6P025H | PZP003BYB | BUZ72 | HY3704B | RJK0603DPN-E0 | CS9N65D | IPAN60R125PFD7S
History: AP6P025H | PZP003BYB | BUZ72 | HY3704B | RJK0603DPN-E0 | CS9N65D | IPAN60R125PFD7S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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