BRB100N03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BRB100N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для BRB100N03
BRB100N03 Datasheet (PDF)
brb100n03.pdf

BRB100N03 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien
brb10n65.pdf

BRB10N65 Rev.E Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well
Другие MOSFET... BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , IRF1405 , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC .
History: HM60N05 | BR6N70 | SQD45P03-12 | BR7N65 | NCE40H12A | CS8N90F
History: HM60N05 | BR6N70 | SQD45P03-12 | BR7N65 | NCE40H12A | CS8N90F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667