Справочник MOSFET. BRB100N03

 

BRB100N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRB100N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BRB100N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB100N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:710K  blue-rocket-elect
 brb100n03.pdf pdf_icon

BRB100N03

BRB100N03 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

 9.1. Size:1027K  blue-rocket-elect
 brb10n65.pdf pdf_icon

BRB100N03

BRB10N65 Rev.E Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,, Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well

Другие MOSFET... BR2N7002LK2 , BR40N20 , BR4N70 , BR50N03 , BR6N70 , BR7N65 , BRA10N65 , BRA7N65 , IRFZ48N , BRB10N65 , BRB13N50 , BRB4N60 , BRB70R1K2 , BRB80N08A , BRB840 , BRCS010N03SZC , BRCS010N04SZC .

 

 
Back to Top

 


 
.