BRB100N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRB100N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для BRB100N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRB100N03 даташит

 ..1. Size:710K  blue-rocket-elect
 brb100n03.pdf pdf_icon

BRB100N03

BRB100N03 Rev.A Jul.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

 9.1. Size:1027K  blue-rocket-elect
 brb10n65.pdf pdf_icon

BRB100N03

BRB10N65 Rev.E Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , , Low gate charge, low crss, fast switching, HF product. / Applications DC/DC These devices are well

Другие IGBT... BR2N7002LK2, BR40N20, BR4N70, BR50N03, BR6N70, BR7N65, BRA10N65, BRA7N65, STP65NF06, BRB10N65, BRB13N50, BRB4N60, BRB70R1K2, BRB80N08A, BRB840, BRCS010N03SZC, BRCS010N04SZC