BRB80N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRB80N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 165 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 17.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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BRB80N08A Datasheet (PDF)

..1. Size:734K blue-rocket-elect
brb80n08a.pdf

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6.1. Size:751K blue-rocket-elect
brb80n08.pdf

BRB80N08(BRCS80N08B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

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brb80n06.pdf

BRB80N06(BRCS80N06B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching. / Applications DC/DC

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brb80n10.pdf

BRB80N10(BRCS80N10B) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

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