BRCS030N04DP Todos los transistores

 

BRCS030N04DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS030N04DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRCS030N04DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1837K  blue-rocket-elect
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BRCS030N04DP

BRCS030N04DP Rev.A Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, HF Product. DS(on) rss / Applications

 5.1. Size:1057K  blue-rocket-elect
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BRCS030N04DP

BRCS030N06SBD Rev.A Dec.-2021 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching,Halogen-free Product. / Applications PFC

 5.2. Size:1578K  blue-rocket-elect
 brcs030n03dp.pdf pdf_icon

BRCS030N04DP

BRCS030N03DP Rev.A Jul.-2023 ATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 30V I =135 A (V = 20V) DS D GS RDS(ON)@10V3mR(Typ.2.3mR) RDS(ON)@4.5V5mR(Typ.3.1mR) HF Product. / Applications

 5.3. Size:1066K  blue-rocket-elect
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BRCS030N04DP

BRCS030N03ZC Rev.C Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;H

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History: BLS65R380-B | AON7424 | MCAC60N08Y-TP | 2SK3924-01L | AP4N2R6H | 2SK3983-01SJ | IXFT20N80P

 

 
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