BRCS030N04DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS030N04DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS030N04DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS030N04DP даташит

 ..1. Size:1837K  blue-rocket-elect
 brcs030n04dp.pdf pdf_icon

BRCS030N04DP

 5.1. Size:1057K  blue-rocket-elect
 brcs030n06sbd.pdf pdf_icon

BRCS030N04DP

 5.2. Size:1578K  blue-rocket-elect
 brcs030n03dp.pdf pdf_icon

BRCS030N04DP

BRCS030N03DP Rev.A Jul.-2023 ATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 30V I =135 A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@10V 3mR(Typ.2.3mR) R DS(ON)@4.5V 5mR(Typ.3.1mR) HF Product. / Applications

 5.3. Size:1066K  blue-rocket-elect
 brcs030n03zc.pdf pdf_icon

BRCS030N04DP

BRCS030N03ZC Rev.C Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRCS020N04BD, BRCS020N04RA, BRCS020N04ZC, BRCS020N06SBD, BRCS020N06SRA, BRCS025N04DP, BRCS030N03DP, BRCS030N03ZC, IRF840, BRCS030N06SBD, BRCS030N06SZC, BRCS030N10SHBD, BRCS030N10SHRA, BRCS035N03DP, BRCS035N03ZC, BRCS035N04SDP, BRCS035N06SDP