BRCS030N06SBD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS030N06SBD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO-263

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BRCS030N06SBD datasheet

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BRCS030N06SBD

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BRCS030N06SBD

BRCS030N06SZC Rev.B Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal DS(ON) resistan

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BRCS030N06SBD

BRCS030N03DP Rev.A Jul.-2023 ATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 30V I =135 A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@10V 3mR(Typ.2.3mR) R DS(ON)@4.5V 5mR(Typ.3.1mR) HF Product. / Applications

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BRCS030N06SBD

BRCS030N03ZC Rev.C Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;H

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