BRCS050N03DSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS050N03DSC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS050N03DSC

BRCS050N03DSC Datasheet (PDF)

..1. Size:1667K blue-rocket-elect
brcs050n03dsc.pdf

BRCS050N03DSC Rev.A Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features V (V)=30V I =20A DS DRDS(ON)@10V

3.1. Size:1504K blue-rocket-elect
brcs050n03dp.pdf

BRCS050N03DP Rev.B Jul.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow R ,low gate charge, low C , fast switching, HF Product. DS(on) rss / Applications

4.1. Size:1115K blue-rocket-elect
brcs050n03zc.pdf

BRCS050N03ZC Rev.B Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF

4.2. Size:1342K blue-rocket-elect
brcs050n03yb.pdf

BRCS050N03YB Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN33A-8L Plastic Package. / Features V (V) = 30V DSI =55 A (V = 20V) D GS RDS(ON)@10V5mR(Typ.4.3mR) HF Product. / Applications

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Liste

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