BRCS050N03DSC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS050N03DSC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 168 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: SOP-8

 Búsqueda de reemplazo de BRCS050N03DSC MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BRCS050N03DSC datasheet

 ..1. Size:1667K  blue-rocket-elect
 brcs050n03dsc.pdf pdf_icon

BRCS050N03DSC

 3.1. Size:1504K  blue-rocket-elect
 brcs050n03dp.pdf pdf_icon

BRCS050N03DSC

 4.1. Size:1115K  blue-rocket-elect
 brcs050n03zc.pdf pdf_icon

BRCS050N03DSC

BRCS050N03ZC Rev.B Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF

 4.2. Size:1342K  blue-rocket-elect
 brcs050n03yb.pdf pdf_icon

BRCS050N03DSC

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BRCS035N10SHZC, BRCS040N02DP, BRCS040N03DP, BRCS045N08SHBD, BRCS045N08SHRA, BRCS045N10SHBD, BRCS045N10SHRA, BRCS050N03DP, 7N65, BRCS050N03YB, BRCS050N03ZC, BRCS050N04BD, BRCS050N04RA, BRCS050N04YB, BRCS050N085HRA, BRCS055N08SHBD, BRCS055N08SHRA