BRCS060N08HZC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS060N08HZC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1380 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de BRCS060N08HZC MOSFET
BRCS060N08HZC Datasheet (PDF)
brcs060n08hzc.pdf
BRCS060N08HZC Rev.A Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss, low Gate Charge for fast switching, Low Thermal resistance,
brcs060n03zc.pdf
BRCS060N03ZC Rev.B May.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5*6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5*6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance. / Applicat
brcs060n03yb.pdf
BRCS060N03YB Rev.A Aug.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =40 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V6mR(Typ.4.7mR) HF Product. / Applications DC/DC
brcs060n04szc.pdf
BRCS060N04SZC Rev.C Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low R to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal DS(ON)resistan
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Liste
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