BRCS080C03YM Todos los transistores

 

BRCS080C03YM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS080C03YM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6A
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRCS080C03YM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1813K  blue-rocket-elect
 brcs080c03ym.pdf pdf_icon

BRCS080C03YM

BRCS080C03YM Rev.B Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A MOS Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=24A ID=-24A RDS(ON)

 3.1. Size:3030K  blue-rocket-elect
 brcs080c03ya.pdf pdf_icon

BRCS080C03YM

BRCS080C03YA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN33-8L Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =37A V (V)=-30V I =-26A DS D DS DR DS(ON)@-10V

 4.1. Size:3320K  blue-rocket-elect
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BRCS080C03YM

BRCS080C03SC Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =15.5A V (V)=-30V I =-11.5A DS D DS DR DS(ON)@-10V

 5.1. Size:3108K  blue-rocket-elect
 brcs080c04sc.pdf pdf_icon

BRCS080C03YM

BRCS080C04SC Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=40V I =15A V (V)=-40V I =-11A DS D DS DR DS(ON)@-10V

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History: 2N7089 | 2SJ362 | PMN50UPE | KUK7606-55A

 

 
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