BRCS080C03YM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS080C03YM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6A
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS080C03YM
BRCS080C03YM Datasheet (PDF)
brcs080c03ym.pdf
BRCS080C03YM Rev.B Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A MOS Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=24A ID=-24A RDS(ON)
brcs080c03ya.pdf
BRCS080C03YA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN33-8L Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =37A V (V)=-30V I =-26A DS D DS DR DS(ON)@-10V
brcs080c03sc.pdf
BRCS080C03SC Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =15.5A V (V)=-30V I =-11.5A DS D DS DR DS(ON)@-10V
brcs080c04sc.pdf
BRCS080C04SC Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=40V I =15A V (V)=-40V I =-11A DS D DS DR DS(ON)@-10V
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Liste
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