BRCS080C03YM MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BRCS080C03YM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS080C03YM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6A

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BRCS080C03YM datasheet

..1. Size:1813K blue-rocket-elect
brcs080c03ym.pdf pdf_icon

BRCS080C03YM Rev.B Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6A MOS Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN5 6A Plastic Package. / Features N-channel P-channel VDS(V)=30V VDS(V)=-30V ID=24A ID=-24A RDS(ON)

3.1. Size:3030K blue-rocket-elect
brcs080c03ya.pdf pdf_icon

BRCS080C03YA Rev.A Sep.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L Complementary Enhancement MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =37A V (V)=-30V I =-26A DS D DS D R DS(ON)@-10V

4.1. Size:3320K blue-rocket-elect
brcs080c03sc.pdf pdf_icon

BRCS080C03SC Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=30V I =15.5A V (V)=-30V I =-11.5A DS D DS D R DS(ON)@-10V

5.1. Size:3108K blue-rocket-elect
brcs080c04sc.pdf pdf_icon

BRCS080C04SC Rev.B Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 Complementary Enhancement MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features N-channel P-channel V (V)=40V I =15A V (V)=-40V I =-11A DS D DS D R DS(ON)@-10V

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