BRCS080N03DSC MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

BRCS080N03DSC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS080N03DSC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

BRCS080N03DSC datasheet

..1. Size:1674K blue-rocket-elect
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4.1. Size:1829K blue-rocket-elect
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BRCS080N03YB Rev.A Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =30 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 9mR(Typ.8mR) HF Product. / Applications DC/DC

5.1. Size:1268K blue-rocket-elect
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BRCS080N04SC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS = 40V ID =15A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 8mR(Typ.6.4mR) HF Product. / Applications

5.2. Size:1705K blue-rocket-elect
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BRCS080N04SDP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 40V DS I =54A (V = 20V) D GS R DS(ON)@10V 8mR(Typ.7.5mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suite

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