BRCS080N04YB Todos los transistores

 

BRCS080N04YB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS080N04YB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3A-8L
 

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BRCS080N04YB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2391K  blue-rocket-elect
 brcs080n04yb.pdf pdf_icon

BRCS080N04YB

BRCS080N04YB Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID =45 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V8mR(Typ.6.4mR) HFProduct. / Applications DC/DC

 4.1. Size:1268K  blue-rocket-elect
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BRCS080N04YB

BRCS080N04SC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS = 40V ID =15A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V8mR(Typ.6.4mR) HF Product. / Applications

 4.2. Size:1705K  blue-rocket-elect
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BRCS080N04YB

BRCS080N04SDP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 40V DSI =54A (V = 20V) D GS RDS(ON)@10V8mR(Typ.7.5mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suite

 4.3. Size:1369K  blue-rocket-elect
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BRCS080N04YB

BRCS080N04ZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 56 N N-Channel MOSFET in a PDFN 56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;

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History: SSM6K06FU | P4004ED | LNND04R120

 

 
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