BRCS080N04ZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS080N04ZC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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BRCS080N04ZC datasheet

 ..1. Size:1369K  blue-rocket-elect
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BRCS080N04ZC

BRCS080N04ZC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN 5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN 5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;

 3.1. Size:1194K  blue-rocket-elect
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BRCS080N04ZC

BRCS080N04ZB Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID = 40A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

 4.1. Size:1268K  blue-rocket-elect
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BRCS080N04ZC

BRCS080N04SC Rev.A Jun.-2022 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / Features VDS = 40V ID =15A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 8mR(Typ.6.4mR) HF Product. / Applications

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BRCS080N04ZC

BRCS080N04SDP Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 40V DS I =54A (V = 20V) D GS R DS(ON)@10V 8mR(Typ.7.5mR) HF Product. / Applications DC/DC These devices are well suite

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