BRCS080N10SHBD Todos los transistores

 

BRCS080N10SHBD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS080N10SHBD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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BRCS080N10SHBD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1834K  blue-rocket-elect
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BRCS080N10SHBD

BRCS080N10SHBD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,, Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF product. / Applications PFC

 2.1. Size:966K  blue-rocket-elect
 brcs080n10shzc.pdf pdf_icon

BRCS080N10SHBD

BRCS080N10SHZC Rev.A Sep.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss, low Gate Charge for fast switching, Low Thermal resistance

 2.2. Size:1154K  blue-rocket-elect
 brcs080n10shdp.pdf pdf_icon

BRCS080N10SHBD

BRCS080N10SHDP Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applications DC

 2.3. Size:1960K  blue-rocket-elect
 brcs080n10shra.pdf pdf_icon

BRCS080N10SHBD

BRCS080N10SHRA Rev.B Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC . These de

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History: SVD640D | CS4N70P | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2SK2489

 

 
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