BRCS080N10SHBD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS080N10SHBD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 90 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 73 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 37 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1180 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS080N10SHBD

BRCS080N10SHBD Datasheet (PDF)

..1. Size:1834K blue-rocket-elect
brcs080n10shbd.pdf

BRCS080N10SHBD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,, Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF product. / Applications PFC

2.1. Size:966K blue-rocket-elect
brcs080n10shzc.pdf

BRCS080N10SHZC Rev.A Sep.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 N N-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss, low Gate Charge for fast switching, Low Thermal resistance

2.2. Size:1154K blue-rocket-elect
brcs080n10shdp.pdf

BRCS080N10SHDP Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applications DC

2.3. Size:1960K blue-rocket-elect
brcs080n10shra.pdf

BRCS080N10SHRA Rev.B Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC . These de

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Liste

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