BRCS080N10SHDP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS080N10SHDP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRCS080N10SHDP datasheet

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BRCS080N10SHDP

BRCS080N10SHDP Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rss Low RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, HF Product. / Applications DC

 2.1. Size:966K  blue-rocket-elect
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BRCS080N10SHDP

BRCS080N10SHZC Rev.A Sep.-2021 DATA SHEET / Descriptions PDFN5 6 N N-Channel MOSFET in a PDFN5 6 Plastic Package . / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss, low Gate Charge for fast switching, Low Thermal resistance

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BRCS080N10SHDP

BRCS080N10SHRA Rev.B Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features , Ultra Low On-Resistance,fast switching. / Applications PFC . These de

 2.3. Size:1834K  blue-rocket-elect
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BRCS080N10SHDP

BRCS080N10SHBD Rev.A Sep.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features , , Ultra Low On-Resistance,fast switching,HF product. / Applications PFC

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