BRCS100N10SHZC Todos los transistores

 

BRCS100N10SHZC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS100N10SHZC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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BRCS100N10SHZC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1622K  blue-rocket-elect
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 6.1. Size:856K  blue-rocket-elect
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BRCS100N10SHZC

BRCS100N06BD Rev.A May.-2019 DATA SHEET / Descriptions N TO-263 N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficie

 6.2. Size:809K  blue-rocket-elect
 brcs100n03bd.pdf pdf_icon

BRCS100N10SHZC

BRCS100N03BD Rev.B May.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-263 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package. / Features ,, Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC These devices ar

 6.3. Size:1968K  blue-rocket-elect
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BRCS100N10SHZC

BRCS100N06RA Rev.C Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high effic

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History: CSD87352Q5D | 2SJ0536 | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | SPP11N65C3

 

 
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