BRCS120N03YB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS120N03YB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3A-8L

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BRCS120N03YB datasheet

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BRCS120N03YB

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BRCS120N03YB

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN3 3-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN3 3-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications Intended for use in g

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BRCS120N03YB

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BRCS120N03YB

BRCS120N03ZB Rev.C Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 3 3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 3 3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V 13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications

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