BRCS120N03YB Todos los transistores

 

BRCS120N03YB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS120N03YB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3A-8L
 

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BRCS120N03YB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1257K  blue-rocket-elect
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BRCS120N03YB

BRCS120N03YB Rev.A Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID =20 A (VGS = 20V) RDS(ON)@10V13mR(Typ.11mR) HFProduct. / Applications DC/DC

 3.1. Size:1299K  blue-rocket-elect
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BRCS120N03YB

BRCS120N03YA Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS DoubleN-CHANNELMOSFETinaPDFN33-8LPlasticPackage. / Features VDS (V) = 30V ID =24A (VGS =20V) RDS(ON)@10V13mR(Typ.11mR) HFProduct. / Applications Intendedforuseing

 4.1. Size:693K  blue-rocket-elect
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BRCS120N03YB

BRCS120N03ZJRev.B Sep.-2020 DATA SHEET / DescriptionsDFN 2*2B-6L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 2*2B-6L Plastic Package. / FeaturesV (V) = 30VDSI = 8 A (V = 20V)D GSHF Product. / ApplicationsDC/DC

 4.2. Size:769K  blue-rocket-elect
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BRCS120N03YB

BRCS120N03ZB Rev.C Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 33A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS =20V) RDS(ON)@10V13mR(Typ.11mR) HF Product. / Applications

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History: OSG65R900AF | LNND04R120 | P4004ED | VSE003N04MSC-G | SSM6K06FU | 2N7002-G

 

 
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