BRCS150P02ZJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS150P02ZJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: DFN2X2B-6L
Búsqueda de reemplazo de BRCS150P02ZJ MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BRCS150P02ZJ datasheet
brcs150p02mc.pdf
BRCS150P02MC Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features V (V) = -20V DS I = -7.0A D R DS(ON)@-4.5V 17m (Type.15m ) HF Product. / Applications Power Management in
Otros transistores... BRCS150C02YA, BRCS150N10SBD, BRCS150N10SDP, BRCS150N10SRA, BRCS150N10SZC, BRCS150N12SRA, BRCS150N12SZC, BRCS150P02MC, IRF540, BRCS150P04DP, BRCS150P04SC, BRCS18N20DP, BRCS18N20FA, BRCS18N20RA, BRCS1C0P06DSC, BRCS1C5P06MA, BRCS1C5P06MF
History: SML801R4CN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40