BRCS150P02ZJ Todos los transistores

 

BRCS150P02ZJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS150P02ZJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2B-6L
 

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BRCS150P02ZJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:966K  blue-rocket-elect
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BRCS150P02ZJ

BRCS150P02ZJ Rev.A Apr.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22B-6L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 22B-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = -20V ID = -11A RDS(ON)@-4.5V17m(Type.15m) HF Product. / Applications

 4.1. Size:1521K  blue-rocket-elect
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BRCS150P02ZJ

BRCS150P02MC Rev.B Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features V (V) = -20V DSI = -7.0A DRDS(ON)@-4.5V17m(Type.15m) HF Product. / Applications Power Management in

 5.1. Size:1090K  blue-rocket-elect
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BRCS150P02ZJ

BRCS150P04SCRev.A May.-2020 DATA SHEET / DescriptionsSOP-8 P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a SOP-8 Plastic Package. / FeaturesV (V) = -40VDSI = -10 A (V =20V)D GSR

 5.2. Size:1067K  blue-rocket-elect
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BRCS150P02ZJ

BRCS150P04DP Rev.A Mar.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features R C DS(on) rssLow RDS(on),low gate charge, low Crss, fast switching, Trench Technologies. HF Product. / Applications

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History: GSM1013E | 24NM60G-TF2-T

 

 
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