BRCS200N04YA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS200N04YA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS200N04YA

BRCS200N04YA Datasheet (PDF)

..1. Size:1292K blue-rocket-elect
brcs200n04ya.pdf

BRCS200N04YA Rev.A May.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN33-8L N MOS Double N-CHANNEL MOSFET in a PDFN33-8L Plastic Package. / Features V =40V I =19A DS DRDS(ON)@10V

4.1. Size:645K blue-rocket-elect
brcs200n04zb.pdf

BRCS200N04ZB Rev.B Jun.-2021 DATA SHEET / Descriptions DFN 3*3A-8L N MOS N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 3*3A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = 40V ID = 12 A (VGS = 20V) HF Product. / Applications DC/DC

4.2. Size:864K blue-rocket-elect
brcs200n04dsc.pdf

BRCS200N04DSC Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 N Power Trench MOS Dual N-Channel Power Trench MOSFET in a SOP-8 Plastic Package. / Features Low RDS(ON),Low gate charge, use for a wide range of power conversion applications

5.1. Size:1176K blue-rocket-elect
brcs200n03yn.pdf

BRCS200N03YN Rev.A Jul.-2022 DATA SHEET / Descriptions DFN 22C-6L N+N MOS Double N+N-CHANNEL MOSFET in a DFN 22C-6L Plastic Package. / Features VDS (V) = 30V ID = 6.3A (VGS = 20V) HF Product. / Applications Battery protection swit

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Liste

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