BRCS200P03DSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS200P03DSC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
BRCS200P03DSC Datasheet (PDF)
brcs200p03dsc.pdf

BRCS200P03DSC Rev.A Mar.-2023 DATA SHEET / Descriptions SOP-8 P Dual P-CHANNEL MOSFET in a SOP-8 Plastic Package . / Features Dual P-CHANNEL VDS(V)=-30V ID=-7.1A RDS(ON)
brcs200p03dp.pdf

BRCS200P03DP Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Low On-Resistance, fast switching,HF Product. / Applications DC/DC Power Management of Industrial DC/DC Converter.
brcs200p03zc.pdf

BRCS200P03ZC Rev.A May.-2022 DATA SHEET / Descriptions PDFN56 P P-Channel MOSFET in a PDFN56 Plastic Package. / Features Low RDS(ON) to minimize conductive loss;low Gate Charge for fast switching;Low Thermal resistance;HF P
brcs200p03zb.pdf

BRCS200P03ZB Rev.A May.-2020 DATA SHEET / Descriptions DFN 33A-8L P MOS P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN 33A-8L Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -19 A (VGS = -20V) HF Product. / Applications Power
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History: TSP10N65M
History: TSP10N65M



Liste
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