BRCS250N10SIP Todos los transistores

 

BRCS250N10SIP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS250N10SIP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-251

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BRCS250N10SIP datasheet

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BRCS250N10SIP

BRCS250N10SIP Rev.A Oct.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@10V 25mR(Typ.20mR) R DS(ON)@4.5V 35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

 3.1. Size:1129K  blue-rocket-elect
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BRCS250N10SIP

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BRCS250N10SIP

BRCS250N10SDP Rev.A Jun.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features V (V) = 100V I =37A (V = 20V) DS D GS R DS(ON)@10V 25mR(Typ.20mR) R DS(ON)@4.5V 35mR(Typ.25mR) HF Product. / Applications LED

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BRCS250N10SIP

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