BRCS30N10DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRCS30N10DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Encapsulados: TO-252
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BRCS30N10DP datasheet
Otros transistores... BRCS2C5N08EMA , BRCS2N65AA , BRCS2N65IP , BRCS2N65QF , BRCS300P016MC , BRCS300P016ZJ , BRCS30N02DP , BRCS30N02IP , 10N65 , BRCS30P10IP , BRCS3134WA , BRCS3134ZK , BRCS3139ZK , BRCS3400MA , BRCS3404MA , BRCS3404MC , BRCS3411MF .
History: F20S60C3
History: F20S60C3
🌐 : EN ES РУ
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