BRCS30N10DP - описание и поиск аналогов

 

BRCS30N10DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRCS30N10DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BRCS30N10DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRCS30N10DP даташит

 ..1. Size:860K  blue-rocket-elect
 brcs30n10dp.pdf pdf_icon

BRCS30N10DP

 7.1. Size:877K  blue-rocket-elect
 brcs30n02ip.pdf pdf_icon

BRCS30N10DP

 7.2. Size:837K  blue-rocket-elect
 brcs30n02dp.pdf pdf_icon

BRCS30N10DP

 8.1. Size:1563K  blue-rocket-elect
 brcs300p016mc.pdf pdf_icon

BRCS30N10DP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BRCS2C5N08EMA , BRCS2N65AA , BRCS2N65IP , BRCS2N65QF , BRCS300P016MC , BRCS300P016ZJ , BRCS30N02DP , BRCS30N02IP , 10N65 , BRCS30P10IP , BRCS3134WA , BRCS3134ZK , BRCS3139ZK , BRCS3400MA , BRCS3404MA , BRCS3404MC , BRCS3411MF .

History: FQA140N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.