BRCS900P10DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BRCS900P10DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 2.4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 750 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRCS900P10DP

BRCS900P10DP Datasheet (PDF)

..1. Size:2021K blue-rocket-elect
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7.1. Size:1679K blue-rocket-elect
brcs900n10sym.pdf

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8.1. Size:3550K blue-rocket-elect
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BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d

8.2. Size:3651K blue-rocket-elect
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BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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Liste

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