BRCS900P10DP Todos los transistores

 

BRCS900P10DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS900P10DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BRCS900P10DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2021K  blue-rocket-elect
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BRCS900P10DP

BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V

 7.1. Size:1679K  blue-rocket-elect
 brcs900n10sym.pdf pdf_icon

BRCS900P10DP

BRCS900N10SYM Rev.C Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A N Dual N-CHANNEL MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features Dual N-Ch VDS(V)=100V ID=13.7A RDS(ON)

 8.1. Size:3550K  blue-rocket-elect
 brcs90p03dp.pdf pdf_icon

BRCS900P10DP

BRCS90P03DP Rev.A .May.-2019 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. Halogen-free Product. / Applications DC/DC These d

 8.2. Size:3651K  blue-rocket-elect
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BRCS900P10DP

BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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History: STS5DNF60L | WMB40N04TS | RFD8P06LESM | IRF3000PBF | SML20L100

 

 
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