BRCS90P03DP Todos los transistores

 

BRCS90P03DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRCS90P03DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BRCS90P03DP datasheet

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BRCS90P03DP

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BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Low gate charge,low crss,fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V

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BRCS90P03DP

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History: BSZ15DC02KD | APT47F60J | PTA04N80 | WMR13N03T1 | UPA1763G | SMG2306NE | SUM110N04-2M3L

 

 

 

 

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