BRCS90P03DP Todos los transistores

 

BRCS90P03DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BRCS90P03DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BRCS90P03DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3550K  blue-rocket-elect
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BRCS90P03DP

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 5.1. Size:3651K  blue-rocket-elect
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BRCS90P03DP

BRCS90P03RA Rev.B .Jul.-2018 DATA SHEET / Descriptions TO-220 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features Lowgatecharge,lowcrss,fastswitching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hig

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BRCS900P10DP Rev.A Aug.-2023 DATA SHEET / Descriptions TO-252 P MOS P-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features VDS(V)=-100V ID=-18A RDS(ON)@-10V

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BRCS900N10SYM Rev.C Feb.-2023 DATA SHEET / Descriptions PDFN56A N Dual N-CHANNEL MOSFET in a PDFN56A Plastic Package. / Features Dual N-Ch VDS(V)=100V ID=13.7A RDS(ON)

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History: VBZ3442 | BUK7Y153-100E | IRLU3705Z | HAT3019R | VN2110 | UTT40P04 | IMW120R140M1H

 

 
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